对比图
型号 IXDI609SIA IXDI509SIAT/R IXDI609SIATR
描述 低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9ADriver 9A 1Out Lo Side Inv 8Pin SOIC T/R低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 22ns, 15ns 25ns, 23ns 22ns, 15ns
输出接口数 1 1 1
输出电流 - - 2 A
上升时间 45 ns 45 ns 22 ns
下降时间 40 ns 40 ns 15 ns
下降时间(Max) 25 ns 40 ns 25 ns
上升时间(Max) 35 ns 45 ns 35 ns
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -55 ℃ -40 ℃
电源电压 4.5V ~ 35V 4.5V ~ 30V 4.5V ~ 35V
电源电压(Max) - - 35 V
电源电压(Min) - 4.5 V 4.5 V
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
高度 - 1.5 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 - -