对比图
型号 BCM847BS@115 NST45011MW6T1G BC847BDW1T1G
描述 BCM847BS@115ON SEMICONDUCTOR NST45011MW6T1G Bipolar (BJT) Single Transistor, Dual NPN, 45 V, 100 MHz, 380 mW, 100 mA, 150 hFE 新ON SEMICONDUCTOR BC847BDW1T1G. 双极性晶体管阵列, NPN, 双路, 45V, SOT363
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 6
封装 - SOT-363 SC-70-6
频率 - 100 MHz 100 MHz
额定电压(DC) - - 45.0 V
额定电流 - - 100 mA
无卤素状态 - - Halogen Free
针脚数 - 6 6
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 300 mW 380 mW 380 mW
击穿电压(集电极-发射极) - 45 V 45 V
集电极最大允许电流 - 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) - 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V
额定功率(Max) - 380 mW 380 mW
直流电流增益(hFE) - 150 450
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 380 mW 380 mW
最大电流放大倍数(hFE) - 500 -
长度 - 2.2 mm 2 mm
宽度 - 1.35 mm 1.25 mm
高度 - 1 mm 0.9 mm
封装 - SOT-363 SC-70-6
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99