M29W400B-120N5TR和M29W400B-120N6TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29W400B-120N5TR M29W400B-120N6TR M29W400B-120N6

描述 4兆位512KB ×8或256Kb的X16 ,引导块低电压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory4兆位512KB ×8或256Kb的X16 ,引导块低电压单电源闪存 4 Mbit 512Kb x8 or 256Kb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory256KX16 FLASH 2.7V PROM, 120ns, PDSO48, 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类

基础参数对比

封装 TSOP1 TSOP1 TSOP1

封装 TSOP1 TSOP1 TSOP1

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

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