对比图
描述 N沟道增强型垂直的D- MOS晶体管 N-channel enhancement mode vertical D-MOS transistorN 通道 MOSFET，高达 0.9A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors240V,0.26A,N沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 SOT-89 SOT-89-3 SOT-89
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-Channel N-Channel
漏源极电压(Vds) 180 V 200 V 240 V
连续漏极电流(Ids) 0.3A 400 mA 260 mA
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 1.6 Ω -
耗散功率 - 1 W -
阈值电压 - 2.8 V -
输入电容(Ciss) - 120pF @25V(Vds) 97pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 1 W 1 W
工作温度(Max) - 150 ℃ -
耗散功率(Max) - 580mW (Ta), 12.5W (Tc) -
额定电压(DC) - - 240 V
额定电流 - - 260 mA
输入电容 - - 97.0 pF
栅电荷 - - 5.50 nC
封装 SOT-89 SOT-89-3 SOT-89
长度 - 4.6 mm -
宽度 - 2.6 mm -
高度 - 1.6 mm -
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -