TN0604N3-G和TN0604N3-G-P013

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TN0604N3-G TN0604N3-G-P013 TN0604N3-G-P005

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 700 mA, 40 V, 0.6 ohm, 10 V, 1.6 VTrans MOSFET N-CH 40V 0.7A 3Pin TO-92 T/RTrans MOSFET N-CH 40V 0.7A 3Pin TO-92 T/R

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

通道数 - 1 -

漏源极电阻 0.6 Ω 1.6 Ω -

耗散功率 0.74 W 740 mW 740mW (Ta)

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

漏源击穿电压 - 40 V -

上升时间 6 ns 6 ns -

输入电容(Ciss) 190 pF 190pF @20V(Vds) 190pF @20V(Vds)

下降时间 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 740mW (Ta) 740mW (Ta) 740mW (Ta)

额定功率 0.74 W - -

针脚数 3 - -

极性 N-CH - -

阈值电压 1.6 V - -

连续漏极电流(Ids) 0.7A - -

长度 - 5.21 mm -

宽度 - 4.19 mm -

高度 - 5.33 mm -

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Bag Bulk Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 无铅

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台