KTC3770S-C和NE85633-T1B-A

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KTC3770S-C NE85633-T1B-A KTC3770S-B

描述 ktc3770s-c NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7MHz 125~251 SOT-23/SC-59 marking/标记 rc VHF/UHF宽频带放大器NE856 系列 12 V 7 GHz NPN 硅 高频 晶体管 - Super SOT-323KTC3770S-B NPN三极管 20V 100mA/0.1A 7MHz 80~160 SOT-23/SC-59 marking/标记 RB VHF/UHF宽频带放大器

数据手册 ---

制造商 KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) California Eastern Laboratories KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

频率 - 7000 MHz -

极性 - NPN -

耗散功率 - 0.2 W -

增益频宽积 - 7 GHz -

击穿电压(集电极-发射极) - 12 V -

增益 - 11.5 dB -

最小电流放大倍数(hFE) - 50 @20mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 250 -

额定功率(Max) - 200 mW -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 200 mW -

长度 - 2.9 mm -

宽度 - 1.5 mm -

高度 - 1.4 mm -

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23

材质 - Silicon -

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

ECCN代码 - EAR99 -

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