HCPL-181-00DE和TLP734F

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HCPL-181-00DE TLP734F

描述 HCPL-181-00DE 编带GaAs Ired & Photo−Transistor

数据手册 --

制造商 AVAGO Technologies (安华高科) Toshiba (东芝)

分类 光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount -

引脚数 4 -

封装 SOIC-4 -

输入电压(DC) 1.20 V -

输出电压 80.0 V -

电路数 1 -

通道数 1 -

正向电压 1.2 V -

输入电流 20 mA -

耗散功率 170 mW -

隔离电压 3.75 kV -

输入电流(Min) 50 mA -

正向电压(Max) 1.4 V -

正向电流(Max) 50 mA -

下降时间 18 µs -

工作温度(Max) 100 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 170 mW -

上升/下降时间 - -

针脚数 - -

上升时间 - -

正向电流 - -

输出电压(Max) - -

长度 3.6 mm -

宽度 4.4 mm -

高度 2 mm -

封装 SOIC-4 -

工作温度 -55℃ ~ 100℃ -

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2014/12/17 -

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