IXTV18N60P和IXTV18N60PS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXTV18N60P IXTV18N60PS IXTQ18N60P

描述 Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(3+Tab) PLUS 220Trans MOSFET N-CH 600V 18ATrans MOSFET N-CH 600V 18A 3Pin(3+Tab) TO-3P

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 PLUS-220SMD TO-3-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 18.0 A 18.0 A 18.0 A

耗散功率 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

输入电容 2.50 nF 2.50 nF 2.50 nF

栅电荷 49.0 nC 49.0 nC 49.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A 18.0 A

输入电容(Ciss) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 360W (Tc) 360W (Tc) 360W (Tc)

上升时间 - - 22 ns

下降时间 - - 22 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-220-3 PLUS-220SMD TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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