MC33171PG和TLE2021CP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MC33171PG TLE2021CP MC33171N

描述 ON SEMICONDUCTOR  MC33171PG  运算放大器, 单路, 1.8 MHz, 1个放大器, 2.1 V/µs, ± 1.5V 至 ± 22V, DIP, 8 引脚Excalibur TLE 系列### 运算放大器,Texas InstrumentsSTMICROELECTRONICS  MC33171N  运算放大器, 单路, 2.1 MHz, 1个放大器, 2 V/µs, ± 2V 至 ± 22V, DIP, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 DIP-8 PDIP-8 DIP-8

电源电压(DC) 15.0 V - 15.0 V

工作电压 - 4V ~ 40V 2V ~ 22V

供电电流 220 µA 240 µA 220 µA

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 8 - 8

共模抑制比 80 dB 85 dB 80 dB

带宽 1.8 MHz 1.2 MHz 2.1 MHz

转换速率 2.10 V/μs 500 mV/μs 2.00 V/μs

增益频宽积 1.8 MHz 1.2 MHz 2.1 MHz

输入补偿电压 2 mV 150 µV 1 mV

输入偏置电流 20 nA 25 nA 20 nA

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.8 MHz 2 MHz 2.1 MHz

共模抑制比(Min) 80 dB 85 dB 80 dB

电源电压(Max) 44 V 40 V 44 V

电源电压(Min) 3 V 4 V 4 V

耗散功率 - 1 W -

输入补偿漂移 - 2.00 µV/K -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

长度 9.27 mm 9.81 mm 10.92 mm

宽度 6.35 mm 6.35 mm 6.6 mm

高度 5.33 mm 4.57 mm 3.32 mm

封装 DIP-8 PDIP-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台