FZT755TA和FZT755TC

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FZT755TA FZT755TC FZT755

描述 Trans GP BJT PNP 150V 1A 3000mW Automotive 4Pin(3+Tab) SOT-223 T/R双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium PowerSOT223 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-261-4 SOT-223-4 -

安装方式 Surface Mount - -

引脚数 4 - -

耗散功率 2 W 2 W -

最大电流放大倍数(hFE) 300 50 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

频率 30 MHz - -

额定电压(DC) -150 V - -

额定电流 -1.00 A - -

极性 PNP - -

增益频宽积 30 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 150 V - -

集电极最大允许电流 1A - -

最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 5V - -

额定功率(Max) 2 W - -

耗散功率(Max) 3000 mW - -

封装 TO-261-4 SOT-223-4 -

长度 6.7 mm - -

宽度 3.7 mm - -

高度 1.65 mm - -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC - -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

ECCN代码 EAR99 - -

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