对比图
型号 IXFK48N60P IXFK48N60Q3 IXFH50N60P3
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFK48N60P 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 48 A, 600 V, 135 mohm, 10 V, 5 VN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备IXYS SEMICONDUCTOR IXFH50N60P3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 50 A, 600 V, 0.16 ohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 48.0 A - -
通道数 1 - -
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 0.135 Ω - 0.16 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 830 W 1000W (Tc) 1.04 W
阈值电压 5 V - 5 V
输入电容 8.86 nF - -
栅电荷 150 nC - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - -
连续漏极电流(Ids) 48.0 A - 50A
上升时间 25 ns 11 ns 20 ns
输入电容(Ciss) 8860pF @25V(Vds) 7020pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 830 W - -
下降时间 22 ns 9 ns 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 830W (Tc) 1000W (Tc) 1040W (Tc)
长度 19.96 mm 19.96 mm 16.26 mm
宽度 5.13 mm 5.13 mm 5.3 mm
高度 26.16 mm 26.16 mm 21.46 mm
封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15