1N3998RAE3和JANTXV1N3998RA

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N3998RAE3 JANTXV1N3998RA 1N3998RA

描述 DO-4 6.2V 10W10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES10瓦齐纳二极管 10 WATT ZENER DIODES

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类

基础参数对比

引脚数 - - 2

封装 DO-4 DO-4 DO-4

耗散功率 10 W 10 W 10 W

测试电流 - - 405 mA

稳压值 6.2 V 6.2 V 6.2 V

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

封装 DO-4 DO-4 DO-4

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant - Non-Compliant

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