对比图
型号 IPB80N08S2L-07 STB76NF75 IPB80N08S2-07
描述 INFINEON IPB80N08S2L-07 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.0063 ohm, 4.5 V, 1.6 V80A,75V,N沟道功率MOSFETInfineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装（无铅） 超低 Rds(on)
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
极性 N-Channel N-CH N-CH
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80A
上升时间 55 ns 100 ns 50 ns
输入电容(Ciss) 5400pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 4700pF @25V(Vds)
下降时间 21 ns 30 ns 30 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.0063 Ω - -
耗散功率 300 W 300W (Tc) -
阈值电压 1.6 V - -
额定功率(Max) 300 W - -
长度 10.31 mm - 10.31 mm
宽度 9.45 mm - 9.45 mm
高度 4.57 mm - 4.57 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -