FW297-TL-2W和SI9945BDY-T1-GE3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FW297-TL-2W SI9945BDY-T1-GE3 SI4900DY-T1-E3

描述 SOIC N-CH 60V 4.5A双 N 通道 MOSFET,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay SemiconductorSOIC-8 Dual N 60V 4.3A 58mΩ

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 JFET晶体管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 46 mΩ 58 mΩ

极性 N-CH N-Channel, Dual N-Channel Dual N-Channel

耗散功率 1.8 W 3.1 W 2 W

阈值电压 1.2 V, 1.2 V 2.5 V -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 4.5A 4.3A 5.30 A

输入电容(Ciss) 750pF @20V(Vds) 665pF @15V(Vds) 665pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.8 W 3.1 W 2 W

下降时间 30 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1800 mW 3.1 W 2000 mW

通道数 2 - -

漏源击穿电压 ±60 V - -

上升时间 16 ns - -

长度 4.9 mm 5 mm -

宽度 3.9 mm 4 mm -

高度 1.375 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 -

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