对比图
描述 单晶体管 双极, NPN, 400 V, 2 W, 300 mA, 40 hFENPN型高压晶体管 NPN high-voltage transistorNPN 晶体管，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount - Surface Mount
引脚数 4 - 4
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
额定电压(DC) - - 400 V
额定电流 - - 300 mA
极性 - - NPN
耗散功率 2 W - 2 W
击穿电压(集电极-发射极) 400 V - 400 V
集电极最大允许电流 - - 0.3A
最小电流放大倍数(hFE) 50 @10mA, 10V - 50 @10mA, 10V
最大电流放大倍数(hFE) - - 200
额定功率(Max) 2 W - 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW - 2 W
针脚数 4 - -
直流电流增益(hFE) 40 - -
长度 - - 6.5 mm
宽度 - - 3.5 mm
高度 - - 1.6 mm
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
材质 Silicon - Silicon
工作温度 150℃ (TJ) - 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99