对比图
型号 IXFX55N50 STW20NK50Z SPP04N80C3
描述 PLUS N-CH 500V 50AN 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
额定电压(DC) 500 V 500 V 800 V
额定电流 55.0 A 17.0 A 4.00 A
漏源极电阻 80.0 mΩ 0.23 Ω 1.1 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 625 W 190 W 63 W
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 55.0 A 17.0 A 4.00 A
上升时间 60 ns 20 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 9400pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 520 W 190 W 63 W
下降时间 45 ns 15 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 625W (Tc) 190W (Tc) 63W (Tc)
额定功率 - 190 W 63 W
通道数 - 1 1
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 3.75 V 3 V
漏源击穿电压 - 500 V 800 V
输入电容 - 2600 pF -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3
长度 - 15.75 mm 10 mm
宽度 - 5.15 mm 4.4 mm
高度 - 20.15 mm 15.65 mm
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/06/16 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 -