DF08S-E3和DF10S-T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DF08S-E3 DF10S-T DF1510S

描述 DF08S-E3 整流桥 800V 560V 1A 1.1V DFS 标记DF08SDF10S-T 编带Bridge Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DF-S, 4Pin

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台) Fagor Electronica (法格)

分类 功率二极管桥式整流器

基础参数对比

封装 DFS DF-S DF-S

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 DFS DF-S DF-S

长度 - 8.51 mm -

宽度 - 6.5 mm -

高度 - 3.4 mm -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

针脚数 - 4 -

正向电压 - 1.1 V -

最大反向电压(Vrrm) - 1000V -

正向电流 - 1 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 50 A -

正向电压(Max) - 1.1 V -

正向电流(Max) - 1 A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -

ECCN代码 - EAR99 -

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