对比图
型号 IRF520NS IRF520NSTRLPBF FQD13N10LTF
描述 D2PAK N-CH 100V 9.7AP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
额定功率 - 47 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.2 Ω 180 mΩ
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3.8 W 2.5W (Ta), 40W (Tc)
阈值电压 - 4 V -
输入电容 - 330 pF -
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 9.70 A 9.7A 10.0 A
上升时间 23 ns 23 ns -
输入电容(Ciss) 330pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) 520pF @25V(Vds)
下降时间 23 ns 23 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 2.5W (Ta), 40W (Tc)
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 9.70 A - 10.0 A
产品系列 IRF520NS - -
漏源击穿电压 - - 100 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 - 10.67 mm -
宽度 - 9.65 mm -
高度 - 4.83 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99