JAN1N5807和JANTXV1N5807

对比图

型号 JAN1N5807 JANTXV1N5807 1N5807

描述 军事审批，效率高， 2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMP军事审批，效率高， 2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED, HIGH EFFICIENCY, 2.5 AMP AND 6.0 AMPRectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 6A, 50V V(RRM), Silicon,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Solid State Devices

分类 TVS二极管TVS二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 2 2 -

封装 B, Axial B, Axial -

正向电压 875mV @4A 875mV @4A -

反向恢复时间 30 ns 30 ns -

正向电压(Max) 875mV @4A 875mV @4A -

正向电流(Max) 6000 mA 6 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

正向电流 6000 mA - -

封装 B, Axial B, Axial -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bulk -

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -

军工级 Yes Yes -