对比图
型号 STP150NF04 BUK755R2-40B,127 BUK9509-40B,127
描述 40V,80A,N沟道MOSFETTO-220AB N-CH 40V 143ATO-220AB N-CH 40V 95A
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 - 3
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 300 W 203 W 157 W
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 80A 143A 95A
上升时间 150 ns 51 ns 106 ns
输入电容(Ciss) 3650pF @25V(Vds) 3789pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 300 W 203 W 157 W
下降时间 45 ns 56 ns 89 ns
耗散功率(Max) 300W (Tc) 203W (Tc) 157W (Tc)
工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
通道数 1 - -
漏源极电阻 5 mΩ - -
漏源击穿电压 40 V - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Rail, Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99