STP150NF04和BUK755R2-40B,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP150NF04 BUK755R2-40B,127 BUK9509-40B,127

描述 40V,80A,N沟道MOSFETTO-220AB N-CH 40V 143ATO-220AB N-CH 40V 95A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 3 - 3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 300 W 203 W 157 W

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 80A 143A 95A

上升时间 150 ns 51 ns 106 ns

输入电容(Ciss) 3650pF @25V(Vds) 3789pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 203 W 157 W

下降时间 45 ns 56 ns 89 ns

耗散功率(Max) 300W (Tc) 203W (Tc) 157W (Tc)

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

通道数 1 - -

漏源极电阻 5 mΩ - -

漏源击穿电压 40 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Rail, Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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