对比图
型号 IRF7470 IRF7470TRPBF IRF7470PBF
描述 SOIC N-CH 40V 10AINFINEON IRF7470TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 40 V, 0.009 ohm, 10 V, 2 V 新N 通道功率 MOSFET 8A 至 12A，InfineonInfineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
针脚数 - 8 8
漏源极电阻 9.00 mΩ 0.013 Ω 0.013 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 - 2.5 W 2.5 W
阈值电压 - 800 mV 2 V
漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 10.0 A 11.0 A 10A
上升时间 1.9 ns 1.9 ns 1.9 ns
输入电容(Ciss) - 3430pF @20V(Vds) 3430pF @20V(Vds)
下降时间 3.2 ns 3.2 ns 3.2 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
额定电压(DC) 40.0 V 40.0 V -
额定电流 11.0 A 11.0 A -
产品系列 IRF7470 IRF7470 -
额定功率(Max) - 2.5 W -
漏源击穿电压 40.0V (min) - -
长度 - - 5 mm
宽度 - - 4 mm
高度 - - 1.5 mm
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -