对比图
描述 N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO- 220的PowerMESH ] MOSFET N - CHANNEL 500V - 2.5ohm - 2.5 A - TO-220 PowerMESH] MOSFETN沟道500V - 2.5ohm - 3.8A - TO- 220 / TO- 220FP PowerMesh⑩ MOSFET N-CHANNEL 500V - 2.5ohm - 3.8A - TO-220/TO-220FP PowerMesh⑩ MOSFETSIPMOS大功率晶体管（N沟道增强型雪崩额定） SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated)
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) 500 V 500 V -
额定电流 4.00 A 3.80 A -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 3 Ω 2.5 Ω -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 80 W 80 W -
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 500 V 500 V -
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -
连续漏极电流(Ids) 4.00 A 3.80 A 2.4A
上升时间 13 ns 8 ns -
输入电容(Ciss) 315pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 80 W 80 W -
下降时间 13 ns 5 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) 65 ℃ 65 ℃ -
耗散功率(Max) 80W (Tc) 80W (Tc) -
输入电容 - 400 pF -
栅电荷 - 21.0 nC -
长度 10.4 mm 10.4 mm -
宽度 4.6 mm 4.6 mm -
高度 9.15 mm 9.15 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -
含铅标准 Contains Lead -