SI9945DY和SI9945DY-T1

对比图

型号 SI9945DY SI9945DY-T1

描述 双N沟道增强型MOSFET Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFETSmall Signal Field-Effect Transistor, 3.3A I(D), 60V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount -

封装 SO-8 -

通道数 2 -

漏源极电阻 76 mΩ -

极性 N-Channel -

耗散功率 2 W -

漏源极电压(Vds) 60 V -

漏源击穿电压 60 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 3.30 A -

上升时间 7.5 ns -

下降时间 7 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -

长度 4.9 mm -

宽度 3.9 mm -

高度 1.75 mm -

封装 SO-8 -

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant -

ECCN代码 EAR99 -