对比图
型号 DS1230Y-70-IND DS1230AB-70+ DS1230AB-70IND+
描述 NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-70+ 芯片, 存储器, NVRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS DS1230AB-70IND+ 芯片, 存储器, NVRAM
数据手册 ---
制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 RAM芯片存储芯片存储芯片
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 28 28 28
封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.25 V (max) 4.75V (min)
针脚数 - 28 28
存取时间 70 ns 70 ns 70 ns
内存容量 32000 B 32000 B 32000 B
工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 40 ℃ 0 ℃ -40 ℃
电源电压 - 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V
电源电压(Max) 5.5 V 5.25 V 5.25 V
电源电压(Min) 4.5 V 4.75 V 4.75 V
时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz -
长度 39.12 mm 39.12 mm 39.12 mm
宽度 18.8 mm 18.8 mm 18.8 mm
高度 9.4 mm 9.4 mm 9.4 mm
封装 EDIP-28 EDIP-28 EDIP-28
工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Bulk Tube Each
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free