BC859BE6327和BC860BE6327

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC859BE6327 BC860BE6327 BC859B-E6327

描述 SOT-23 PNP 30V 0.1ASOT-23 PNP 45V 0.1ASmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Siemens Semiconductor (西门子)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SOT-23 SOT-23 -

频率 - 250 MHz -

极性 PNP PNP -

耗散功率 - 330 mW -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 45 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

封装 SOT-23 SOT-23 -

产品生命周期 Obsolete End of Life Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -

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