IRFU220NPBF和IRFU220PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFU220NPBF IRFU220PBF IRFU220N

描述 INFINEON  IRFU220NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 VVISHAY  IRFU220PBF.  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 VIPAK N-CH 200V 5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

额定电压(DC) - 200 V -

额定电流 - 4.80 A -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 600 mΩ 0.8 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 43 W 42 W 43W (Tc)

阈值电压 4 V 4 V -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 5A 4.80 A 5A

上升时间 11 ns 22 ns -

输入电容(Ciss) 300pF @25V(Vds) 260pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

下降时间 12 ns 13 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 43W (Tc) 2.5 W 43W (Tc)

额定功率 43 W - -

通道数 1 - -

输入电容 300 pF - -

漏源击穿电压 200 V - -

额定功率(Max) 43 W - -

长度 6.73 mm 6.73 mm -

宽度 2.38 mm 2.38 mm -

高度 6.22 mm 6.22 mm -

封装 TO-251-3 TO-251 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

包装方式 Tube Tube -

产品生命周期 Active - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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