对比图
型号 STP90N4F3 STP95N04 IRL8113PBF
描述 N沟道40 V， 5.0毫欧， 80 A， DPAK ， TO- 220 ， IPAK ， I2PAK的STripFET ™III功率MOSFET N-channel 40 V, 5.0 mΩ, 80 A, DPAK, TO-220, IPAK, I2PAK STripFET™ III Power MOSFETN沟道40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO- 220的STripFET功率MOSFET N-CHANNEL 40V - 5.4mohm - 80A - DPAK - TO-220 STripFET Power MOSFETTrans MOSFET N-CH 30V 105A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) - 40.0 V 30.0 V
额定电流 - 80.0 A 105 A
漏源极电阻 - 5.4 mΩ 6 mΩ
极性 - N-Channel N-Channel
耗散功率 110 W 110 W 110 W
产品系列 - - IRL8113
阈值电压 - - 2.25 V
漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 30 V
连续漏极电流(Ids) - 80.0 A 105 A
上升时间 60 ns 50 ns 38.0 ns
输入电容(Ciss) 2200pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds) 2840pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 110 W 110 W 110 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
通道数 - 1 -
输入电容 - 2.20 nF -
栅电荷 - 54.0 nC -
漏源击穿电压 - 40 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
下降时间 15 ns 15 ns -
耗散功率(Max) 110W (Tc) 110W (Tc) -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm -
宽度 - 4.6 mm -
高度 - 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Unknown Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2014/12/17
ECCN代码 EAR99 - -