PHP30NQ15T和PHP30NQ15T,127

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP30NQ15T PHP30NQ15T,127

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETTO-220AB N-CH 150V 29A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3

额定电压(DC) 150 V -

额定电流 29.0 A -

输入电容 2.39 nF -

栅电荷 55.0 nC -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V

连续漏极电流(Ids) 29.0 A 29A

耗散功率 - 150 W

输入电容(Ciss) - 2390pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 150 W

耗散功率(Max) - 150W (Tc)

极性 - N-CH

上升时间 - 50 ns

下降时间 - 38 ns

封装 TO-220 TO-220-3

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

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