6116SA55DB和CY6116A-55DMB

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 6116SA55DB CY6116A-55DMB 6116LA55DB

描述 静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器2K ×8静态RAM 2K x 8 Static RAM静态随机存取存储器 16K Asynch. 2Kx8 HS, L-Pwr, 静态随机存取存储器

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 24 24 24

封装 CDIP-24 CDIP CDIP-24

存取时间 55 ns - 55 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

位数 - 8 -

存取时间(Max) - 55 ns -

电源电压 - 5 V -

长度 32 mm - 32 mm

宽度 15.24 mm - 15.24 mm

高度 2.9 mm - 2.9 mm

封装 CDIP-24 CDIP CDIP-24

厚度 2.90 mm - 2.90 mm

工作温度 -55℃ ~ 125℃ - -55℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Bulk - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - 3A001.a.2.c -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台