BC546BG和NTE123AP

对比图

型号 BC546BG NTE123AP BC546B

描述 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconNTE ELECTRONICS  NTE123AP  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 1.5 W, 600 mA, 100 hFETransistor: NPN; bipolar; 65V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NTE Electronics Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92 TO-92

耗散功率 625 mW 625 mW 500 mW

增益频宽积 - - 300 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 350 mW 500 mW

频率 300 MHz 250 MHz -

针脚数 - 3 -

极性 NPN NPN -

集电极击穿电压 - 60.0 V (min) -

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 40.0 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.6A -

直流电流增益(hFE) - 300 -

额定电压(DC) 65.0 V - -

额定电流 100 mA - -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V - -

额定功率(Max) 625 mW - -

封装 TO-92-3 TO-92 TO-92

长度 5.2 mm - -

宽度 4.19 mm - -

高度 5.33 mm - -

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box - Roll, Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

HTS代码 - 85412100959 -