TS613IDT和TS616IDWT

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TS613IDT TS616IDWT OPA2677IDDARG4

描述 TS613 系列 6 V 130 MHz 双 宽带 运算放大器 - SOIC-8双宽频带运算放大器具有高输出电流 DUAL WIDE BAND OPERATIONAL AMPLIFIER WITH HIGH OUTPUT CURRENT高速运算放大器 DUAL OP AMP HIGH OUTPUT HIGH Spd

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 HSOP-8

供电电流 11 mA 13.5 mA 18 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 0.715 W 2000 mW -

共模抑制比 90 dB - 49 dB

转换速率 40.0 V/μs 420 V/μs 2.00 kV/μs

增益频宽积 130 MHz - 2000 MHz

输入补偿电压 1 mV 1 mV 3.5 mV

输入偏置电流 5 µA 5 µA 10 µA

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 130 MHz - -

耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW -

共模抑制比(Min) 90 dB 58 dB 49 dB

输入补偿漂移 - - 4.00 µV/K

可用通道 - - D

3dB带宽 - 40 MHz 250 MHz

电源电压(Max) - - 12.6 V

电源电压(Min) - - 4 V

封装 SOIC-8 SOIC-8 HSOP-8

长度 - - 4.89 mm

宽度 - - 3.9 mm

高度 - - 1.48 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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