IS42S16100E-7BLI-TR和IS42S16100H-7BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16100E-7BLI-TR IS42S16100H-7BLI-TR

描述 DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60Pin TFBGA T/RSDRAM, 1M x 16bit, 5.5ns, 并行接口, BGA-60

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60

封装 BGA-60 TFBGA-60

供电电流 150 mA 70 mA

位数 16 16

存取时间 6 ns 5.5 ns

存取时间(Max) 6ns, 5.5ns 6ns, 5.5ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V -

针脚数 - 60

长度 10.1 mm -

宽度 6.4 mm -

高度 0.85 mm -

封装 BGA-60 TFBGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

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