BUK9608-55B,118和HUF75345S3ST

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK9608-55B,118 HUF75345S3ST

描述 D2PAK N-CH 55V 110A75A , 55V , 0.007 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.007 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 203 W 325 W

输入电容 - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V

上升时间 123 ns 118 ns

输入电容(Ciss) 5280pF @25V(Vds) 4000pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 203 W 325 W

下降时间 86 ns 26 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 203W (Tc) 325W (Tc)

漏源极电阻 0.0062 Ω 6.00 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

阈值电压 1.5 V -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75.0 A

额定电压(DC) - 55.0 V

额定电流 - 75.0 A

漏源击穿电压 - 55.0 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

封装 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.67 mm

宽度 - 9.65 mm

高度 - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99

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