对比图
描述 硅扩散型功率晶体管 Silicon Diffused Power Transistor高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR高压快速开关NPN功率晶体管 HIGH VOLTAGE FAST-SWITCHING NPN POWER TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-247 ISOWATT-218 TO-3
引脚数 - - 3
极性 NPN NPN NPN
击穿电压(集电极-发射极) 700 V 700 V 450 V
集电极最大允许电流 8A 8A 30A
额定电压(DC) - - 450 V
额定电流 - - 30.0 A
耗散功率 - - 275 W
额定功率(Max) - - 275 W
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - 65 ℃
耗散功率(Max) - - 275 W
封装 TO-247 ISOWATT-218 TO-3
长度 - - 39.5 mm
宽度 - - 26.2 mm
高度 - - 8.7 mm
产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 - - Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - - Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
工作温度 - - 200℃ (TJ)