MT29F1G08ABADAH4-IT:D和MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT29F1G08ABADAH4-IT:D MT29F1G08ABADAH4-IT:D TR MT29F1G08ABADAH4:D

描述 存储器SLC NAND Flash Parallel 3.3V 1Gbit 128M X 8Bit 25ns 63Pin VFBGA T/RFlash, 128MX8, 25ns, PBGA63, 9 X 11MM, 1MM HEIGHT, VFBGA-63

数据手册 ---

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 存储芯片Flash芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 63 63 63

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 VFBGA-63

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

工作电压 3.30 V - 3.30 V

供电电流 35 mA - 35 mA

位数 8 - 8

内存容量 125000000 B - 125000000 B

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

封装 VFBGA-63 VFBGA-63 VFBGA-63

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅 PB free

ECCN代码 - - 3A991.b.1.a

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