APT5017SVRG和IXFT30N50Q

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT5017SVRG IXFT30N50Q IXFT30N50

描述 Trans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(2+Tab) D3PAKTrans MOSFET N-CH 500V 30A 3Pin(2+Tab) TO-268TO-268 N-CH 500V 30A

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-268 TO-268-3 TO-268-3

引脚数 3 - -

耗散功率 - 360W (Tc) 360 W

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 4925pF @25V(Vds) 5700pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 370000 mW 360W (Tc) 360W (Tc)

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 30.0 A - -

输入电容 5.28 nF - -

栅电荷 300 nC - -

连续漏极电流(Ids) 30.0 A - 30A

上升时间 14 ns - 42 ns

下降时间 11 ns - 26 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 160 mΩ

极性 - - N-CH

漏源击穿电压 - - 500 V

封装 TO-268 TO-268-3 TO-268-3

长度 - - 16.05 mm

宽度 - - 14 mm

高度 - - 5.1 mm

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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