VNB49N04和VNB49N0413TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 VNB49N04 VNB49N0413TR

描述 ? OMNIFET ?:岗AUTOPROTECTED功率MOSFET “OMNIFET”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFETMOSFET OMNIFET 42V 49A D2PAK

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器开关电源

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3

输出接口数 1 1

供电电流 - 0.25 mA

耗散功率 125 W 125000 mW

输出电流(Max) 28 A 28 A

输出电流(Min) - 28 A

耗散功率(Max) - 125000 mW

漏源极电阻 20 mΩ -

阈值电压 800 mV -

漏源极电压(Vds) 42 V -

漏源击穿电压 42.0 V -

连续漏极电流(Ids) 49.0 A -

钳位电压 42 V -

高度 - 4.6 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/06/16 -

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