P0805E1001BG和P0805E1001BN

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 P0805E1001BG P0805E1001BN P0805E1001BB

描述 Thin Film Resistors - SMD P 0805 E 1001B G WP e4Thin Film Resistors - SMD P 0805 E 1001B N WP e2Thin Film Resistors - SMD P 0805 E 1001B B WP

数据手册 ---

制造商 Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼) Vishay Sfernice (思芬尼)

分类

基础参数对比

封装(公制) 2012 2012 2012

封装 0805 0805 0805

额定功率 200 mW 200 mW 200 mW

电阻 1 kΩ 1 kΩ 1 kΩ

额定电压 150 V 150 V 150 V

长度 1.91 mm 1.91 mm 1.91 mm

宽度 1.27 mm 1.27 mm 1.27 mm

高度 0.5 mm 0.5 mm 0.5 mm

封装(公制) 2012 2012 2012

封装 0805 0805 0805

工作温度 55℃ ~ 155℃ 55℃ ~ 155℃ 55℃ ~ 155℃

温度系数 ±25 ppm/℃ ±25 ppm/℃ ±25 ppm/℃

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

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