MMJT350T1和MMJT350T1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMJT350T1 MMJT350T1G

描述 双极功率晶体管 Bipolar Power Transistors高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4

封装 TO-261-4 TO-261-4

额定电压(DC) -300 V -300 V

额定电流 -500 mA -500 mA

极性 PNP PNP

耗散功率 2.75 W 1.4 W

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 30 30 @50mA, 10V

额定功率(Max) 2.75 W 650 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 1400 mW

最大电流放大倍数(hFE) 240 -

长度 6.5 mm 6.7 mm

宽度 3.5 mm 3.7 mm

高度 1.57 mm 1.65 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4

材质 - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 1000 -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

ECCN代码 - EAR99

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