对比图
描述 PNP外延硅晶体管 PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTORPNP通用放大器 PNP General Purpose Amplifier高电流晶体管 High Current Transistors
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3
引脚数 3 - 3
额定电压(DC) -80.0 V -40.0 V -80.0 V
额定电流 -1.00 A -500 mA -500 mA
极性 PNP, P-Channel PNP PNP
耗散功率 1.00 W 625 mW 625 mW
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 40 V 80 V
集电极最大允许电流 - 0.5A 0.5A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 250 @100µA, 5V 100 @150mA, 2V
额定功率(Max) 1 W 625 mW 625 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
频率 - - 150 MHz
增益频宽积 - - 150 MHz
耗散功率(Max) - - 625 mW
封装 TO-92-3 TO-226-3 TO-92-3
长度 - - 5.2 mm
宽度 - - 4.19 mm
高度 - - 5.33 mm
工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 Obsolete Obsolete Active
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99