AOI4N60和AOU4N60

对比图

型号 AOI4N60 AOU4N60 4N60L-TQ3-R

描述 600V,4A,N沟道MOSFET600V,4A,N沟道MOSFET4A, 600V N-CHANNEL POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) UTC (友顺)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 104 W 104W (Tc) -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 4A 4A -

上升时间 26 ns 26 ns -

输入电容(Ciss) 640pF @25V(Vds) 640pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 104 W 104 W -

下降时间 21 ns 21 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -50 ℃ -50 ℃ -

耗散功率(Max) 104W (Tc) 104W (Tc) -

封装 TO-251-3 TO-251-3 -

工作温度 -50℃ ~ 150℃ (TJ) -50℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -