IS43LR32160B-6BLI和IS43LR32160B-6BLI-TR

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS43LR32160B-6BLI IS43LR32160B-6BLI-TR

描述 DRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 16Mx32 1.8V 90Pin TFBGA动态随机存取存储器 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 TFBGA-90 BGA-90

位数 32 32

存取时间 5.5 ns 5.5 ns

存取时间(Max) 8ns, 5.5ns 8ns, 5.5ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V 1.7V ~ 1.95V

封装 TFBGA-90 BGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Not Recommended Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅

ECCN代码 EAR99 -

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