BF1102R和BG3140R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF1102R BG3140R BF1102R,115

描述 BF1102R 复合场效应管 7 40mA SOT-363/SC70-6 marking/标记 W2 低噪声放大 VHF和UHF应用双N沟道MOSFET四极管 DUAL N-Channel MOSFET TetrodeTrans RF MOSFET N-CH 7V 0.04A 6Pin TSSOP T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

封装 SOT-363 SOT-363 TSSOP-6

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - - 6

封装 SOT-363 SOT-363 TSSOP-6

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

频率 - - 800 MHz

额定电流 - - 40 mA

耗散功率 - - 200 mW

漏源极电压(Vds) - - 7 V

测试电流 - - 15 mA

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 200 mW

额定电压 - - 7 V

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