对比图
型号 PHP63NQ03LT PHP63NQ03LT,127 STP62NS04Z
描述 的TrenchMOS逻辑电平FET TrenchMOS logic level FETTO-220AB N-CH 30V 68.9ASTMICROELECTRONICS STP62NS04Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 33 V, 12.5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 ---
制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 - 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
通道数 - 1 -
漏源极电阻 - 13 mΩ 0.0125 Ω
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 111 W 111 W 110 W
漏源极电压(Vds) 30.0 V 30 V 33 V
漏源击穿电压 - 30 V 40.0 V
连续漏极电流(Ids) 68.9 A 68.9A 62.0 A
上升时间 140 ns 140 ns 104 ns
输入电容(Ciss) - 920pF @25V(Vds) 1330pF @25V(Vds)
下降时间 14 ns 14 ns 42 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 111W (Tc) 110W (Tc)
额定电流 68.9 A - 62.0 A
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 4 V
栅源击穿电压 - - 18.0 V
额定功率(Max) - - 110 W
额定电压(DC) 30.0 V - -
输入电容 920 pF - -
栅电荷 9.60 nC - -
长度 10.3 mm 10.3 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 9.4 mm 9.4 mm 15.75 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Obsolete Active
包装方式 Tube Rail Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17