IRF520FI和IRFS521

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF520FI IRFS521 IRF1520G

描述 N - 沟道增强型功率MOS晶体管 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORSPower Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 80V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220, 3 PINPower Field-Effect Transistor, 7.2A I(D), 100V, 0.27ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET,

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Samsung (三星) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 SFM SFM -

封装 SFM SFM -

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

RoHS标准 - - RoHS Compliant

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