对比图
型号 IXKR47N60C5 MKE38RK600DFELB FMD47-06KC5
描述 IXKR 系列 单 N 沟道 600 V 45 mOhm 功率 MOSFET - ISOPLUS247N 通道功率 MOSFET，IXYS CoolMOS™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 600V 47A 5Pin(5+Tab) ISOPLUS I4
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
引脚数 3 9 5
封装 TO-247-3 ISOPLUS-SMPD-9 ISOPLUS-i4-5
耗散功率 - - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
上升时间 20 ns - 20 ns
输入电容(Ciss) 6800pF @100V(Vds) 6800pF @100V(Vds) 6800pF @100V(Vds)
下降时间 10 ns - 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
漏源极电阻 - 45 mΩ -
极性 - N-CH -
漏源击穿电压 - 600 V -
连续漏极电流(Ids) - 50A -
长度 16.13 mm 25 mm -
宽度 5.21 mm 23 mm -
高度 21.34 mm 5.5 mm -
封装 TO-247-3 ISOPLUS-SMPD-9 ISOPLUS-i4-5
材质 Silicon - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tray Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free