对比图
型号 H7N0310LD-E STB70NF03L-1 H7N0310LD
描述 硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power SwitchingN沟道30V - 0.0075ohm - 70A - D2PAK - I2PAK - TO- 220低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.0075ohm - 70A - D2PAK - I2PAK - TO-220 Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET硅N沟道MOS FET高速电源开关 Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching
数据手册 ---
制造商 Renesas Electronics (瑞萨电子) ST Microelectronics (意法半导体) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管MOS管
封装 LDPAK(L) TO-262-3 LDPAK(L)
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 3 -
极性 N-CH - N-CH
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 30A - 30A
耗散功率 - 100W (Tc) -
上升时间 - 165 ns -
输入电容(Ciss) - 1440pF @25V(Vds) -
下降时间 - 25 ns -
工作温度(Max) - 175 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 100W (Tc) -
封装 LDPAK(L) TO-262-3 LDPAK(L)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant -
含铅标准 Lead Free 无铅 -
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -