HUF75652G3和IXFR180N10

对比图

型号 HUF75652G3 IXFR180N10 IXFH80N10Q

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75652G3..  场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 75A, TO-247ISOPLUS N-CH 100V 165ATO-247AD N-CH 100V 80A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 3 - -

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 75.0 A 165 A 80.0 A

漏源极电阻 0.0067 Ω 8.00 mΩ 15.0 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 515 W 400 W 360 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 165 A 80.0 A

上升时间 - 90.0 ns 70.0 ns

输入电容(Ciss) 7585pF @25V(Vds) 9400pF @25V(Vds) 4500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 515 W 400 W 360 W

耗散功率(Max) 515W (Tc) 400W (Tc) 360W (Tc)

针脚数 3 - -

阈值电压 4 V - -

漏源击穿电压 100 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

长度 15.87 mm - -

宽度 4.82 mm - -

高度 20.82 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 - -