IRF7103IPBF和SI4904DY-T1-E3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7103IPBF SI4904DY-T1-E3 SI4330DY-T1-E3

描述 Trans MOSFET N-CH 50V 3A 8Pin SOIC T/R双N沟道40 V MOSFET Dual N-Channel 40-V MOSFET双N通道30 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

耗散功率 2 W 2 W 1.1 W

产品系列 IRF7103I - -

漏源极电阻 - 16 mΩ -

极性 - Dual N-Channel N-Channel

漏源极电压(Vds) - 40 V 30 V

连续漏极电流(Ids) - 8.00 A 8.70 A

输入电容(Ciss) - 2390pF @20V(Vds) -

额定功率(Max) - 3.25 W 1.1 W

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

上升时间 - - 10 ns

下降时间 - - 12 ns

封装 SOIC SOIC-8 SOIC-8

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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