对比图
型号 IXTH68P20T IXTT68P20T
描述 TO-247P-CH 200V 68AP沟道 200V 68A
数据手册 --
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-247-3 TO-268-3
极性 P-CH P-CH
耗散功率 568W (Tc) 568 W
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 68A 68A
上升时间 - 29 ns
输入电容(Ciss) 33400pF @25V(Vds) 33400pF @25V(Vds)
下降时间 - 18 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) 568W (Tc) 568W (Tc)
封装 TO-247-3 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free